Datasheet下载- 型号： STW55NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW55NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW55NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTW55NM60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW55NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW55NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW55NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于高压MOSFET器件，具有600V耐压和55A大电流能力。该器件采用TO-247封装，具备低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源和通信电源中，作为主开关管，实现高效的AC-DC或DC-DC转换。 2. 电机驱动：在工业电机控制、家用电器（如变频空调、洗衣机）中，用于PWM调速和功率调节，提供快速响应与低损耗。 3. 照明系统：适用于高强度气体放电灯（HID）、LED路灯等电子镇流器或驱动电路，支持高频工作和稳定点灯。 4. 逆变器系统：常见于太阳能逆变器、UPS不间断电源中，作为核心开关元件，提升能量转换效率。 5. 功率因数校正（PFC）电路：在升压型PFC拓扑中作为开关管，帮助提高输入端功率因数，降低谐波干扰，满足能效标准。 STW55NM60N凭借其高耐压、大电流能力和可靠性，特别适合工作在高温、高电压环境下的工业级应用。同时，其优化的栅极设计降低了开关损耗，有助于提升系统整体效率和稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STW55NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 190nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 25.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-7622-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF165496?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 350W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 51A （Tc） |
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