| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLB3034PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLB3034PBF价格参考¥13.84-¥16.56。International RectifierIRLB3034PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLB3034PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLB3034PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLB3034PBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该型号属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别的产品,广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): IRLB3034PBF具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于开关电源中的功率开关,例如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动: 该器件可应用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载切换: 在需要频繁切换负载的应用中(如汽车电子、工业控制等),IRLB3034PBF能够高效地实现负载的开启与关闭。 4. 电池管理系统(BMS): 用于电池组的保护电路中,通过控制充电/放电回路的通断来保护电池免受过充、过放或其他异常情况的影响。 5. LED驱动: 在高亮度LED照明应用中,该MOSFET可以用作电流调节器或开关元件,确保LED以恒定电流工作。 6. 逆变器: 适用于小型逆变器设计,例如太阳能微逆变器或家用应急电源系统中的交流-直流转换部分。 7. 消费电子产品: 包括打印机、扫描仪、投影仪等设备中的功率管理模块,提供高效的电源分配和控制。 8. 汽车电子: 可用于车载电子设备,如电动座椅调节、车窗升降器、雨刷控制系统等,满足汽车行业对可靠性和效率的要求。 总结来说,IRLB3034PBF凭借其优异的电气性能和稳定性,特别适合低电压、大电流的场景,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 195A TO220ABMOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 343 A |
| Id-连续漏极电流 | 343 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLB3034PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLB3034PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 375 W |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| Qg-GateCharge | 108 nC |
| Qg-栅极电荷 | 108 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 827 ns |
| 下降时间 | 355 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10315pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 162nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.7 毫欧 @ 195A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 97 ns |
| 功率-最大值 | 375W |
| 功率耗散 | 375 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.4 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 108 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 286 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 343 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/InternationalRectifier/trench.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 195A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlb3034pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlb3034pbf.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |