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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIZ34NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIZ34NPBF价格参考。International RectifierIRFIZ34NPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFIZ34NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFIZ34NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRFIZ34NPBF 是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件广泛应用于需要高效、快速开关特性的电源管理系统中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理与DC-DC转换器:适用于开关电源(SMPS)、电压调节模块(VRM)及直流-直流转换器,因其具备低导通电阻和高效率特性,可有效降低能量损耗。 2. 电机控制:在电动工具、风扇、泵类等小型电机驱动电路中,IRFIZ34NPBF可作为高效开关元件使用,支持PWM调速控制。 3. 负载开关与继电器替代:用于高可靠性开关系统中,替代传统机械继电器,实现快速、无磨损的电子开关功能。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或小型逆变器中,作为功率转换核心器件,实现电能形式的高效转换。 5. 汽车电子系统:如车载电源系统、LED照明驱动等,得益于其高可靠性和耐压能力,适用于较为严苛的工作环境。 该MOSFET具备较高的耐用性和热稳定性,适合中高功率应用,是工业控制、消费电子及汽车电子等领域中常见的功率开关器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 21A TO220FPMOSFET MOSFT 55V 19A 40mOhm 22.7nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
Id-连续漏极电流 | 19 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFIZ34NPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFIZ34NPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 31 W |
Pd-功率耗散 | 31 W |
Qg-GateCharge | 22.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 22.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 11A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
其它名称 | *IRFIZ34NPBF |
功率-最大值 | 37W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 40 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 19 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |