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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7811ATR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7811ATR价格参考。International RectifierIRF7811ATR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7811ATR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7811ATR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF7811ATR的MOSFET,属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、快速开关性能的场合。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,适用于笔记本电脑、服务器及通信设备中的高效电源系统。 2. 电机控制:在直流电机驱动器或步进电机控制器中作为功率开关使用,提供快速响应与良好热稳定性。 3. 电池管理系统(BMS):用于电动工具、电动车及储能系统中,实现对电池充放电过程的高效控制。 4. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)、工业逆变器和自动化设备中作为高频开关元件。 5. 消费类电子产品:如智能家电、LED照明调光系统等,因其低导通电阻(Rds(on))和小封装,适合空间受限的设计。 该MOSFET采用TSON Advance封装,具有体积小、散热好、内阻低等特点,适合高密度和高效率要求的设计场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF7811ATR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1760pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 11A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | 8-SO |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 28V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta) |