ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD16323Q3
Datasheet下载- 型号： CSD16323Q3
- 制造商： Texas Instruments
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16323Q3由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16323Q3价格参考。Texas InstrumentsCSD16323Q3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON-CLIP（3.3x3.3）。您可以下载CSD16323Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16323Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16323Q3是Texas Instruments（德州仪器）生产的一款N沟道MOSFET，属于低电压、小封装的功率MOSFET器件，广泛应用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备中。 该器件典型的应用场景包括： 1. 同步整流：在DC-DC转换器中作为高效开关使用，尤其适用于降压型（Buck）转换器中的下管（Low-side switch），提升电源转换效率。 2. 负载开关：用于控制电源路径的通断，如在电池供电系统中管理不同模块的供电，实现低功耗待机与快速响应。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少发热，提高驱动效率。 4. 热插拔电路：在需要安全插入/拔出的电源系统中，用作控制开关，防止浪涌电流。 5. 手持设备与物联网终端：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、智能家居传感器等，用于电源管理单元中，满足高密度集成和节能需求。 CSD16323Q3采用1.8mm × 1.4mm的SON-6封装，具有极低的栅极电荷和导通电阻（典型值约9.4mΩ），支持高开关频率，有助于减小外围元件尺寸，提升整体系统效率。其额定电压为20V，适合低压电源系统设计。 综上，CSD16323Q3是一款高性能、小体积的MOSFET，特别适用于空间受限且追求高能效的消费类电子和工业控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SONMOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16323Q3NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16323Q3 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| Qg-栅极电荷 | 6.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 8 V, + 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 6.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 24A，8V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 其它名称 | 296-24522-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16323Q3 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Ta）， 60A （Tc） |
| 系列 | CSD16323Q3 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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