Datasheet下载- 型号： PSMN3R3-60PLQ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R3-60PLQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R3-60PLQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R3-60PLQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R3-60PLQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R3-60PLQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R3-60PLQ 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有极低的导通电阻（Rds(on) 典型值仅 3.3 mΩ @ Vgs=10V）、60 V 耐压及高达 120 A 的脉冲电流能力。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器、POL（Point-of-Load）模块，显著降低导通损耗，提升能效。 - 电机驱动与电子负载控制：适用于无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、无人机电调（ESC）等中高功率驱动场合，支持高频开关与快速响应。 - 热插拔与电源管理电路：凭借低Rds(on)和优异SOA（安全工作区），可用于板级热插拔保护、OR-ing二极管替代、冗余电源切换等，提升系统可靠性。 - LED照明驱动与电池管理系统（BMS）：在大电流LED恒流驱动或电池充放电路径控制（如12V/24V铅酸/锂电系统）中实现高效通断与过流保护。 该器件具备优化的栅极电荷（Qg ≈ 55 nC）和低反向恢复电荷（Qrr），兼容主流PWM控制器，且LFPAK封装具备优异散热性能与PCB贴装可靠性，适合紧凑型高功率密度设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 130A TO-220MOSFET N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 130 A |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN3R3-60PLQ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN3R3-60PLQ |
| Pd-PowerDissipation | 293 W |
| Pd-功率耗散 | 293 W |
| Qg-GateCharge | 175 nC |
| Qg-栅极电荷 | 175 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.45 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.45 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 109 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10115pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-10166-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 158 ns |
| 功率-最大值 | 293W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tmb） |
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