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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTX120P20T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTX120P20T价格参考。IXYSIXTX120P20T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTX120P20T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTX120P20T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTX120P20T是一款P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高电压和大电流承载能力,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池充电器等,用于实现高效的能量转换与稳定输出。 2. 电机驱动与控制:在直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路中作为功率开关,实现对电机速度和方向的控制。 3. 工业自动化设备:用于工业控制系统中的功率开关元件,如PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代电路等。 4. 汽车电子:适用于汽车电源管理、车载充电系统、照明控制等对可靠性要求较高的场景。 5. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)或逆变器中,实现直流电到交流电的高效转换。 6. 负载开关与保护电路:作为高侧或低侧开关,用于控制大功率负载的通断,如加热元件、风扇、LED照明等。 该器件具有低导通电阻、高耐压(200V)和大电流(120A)特性,适合高温、高负载环境下稳定工作,广泛应用于工业、汽车及高可靠性电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247MOSFET TrenchP Power MOSFETs |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | - 120 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTX120P20TTrenchP™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTX120P20T |
Pd-PowerDissipation | 1.04 kW |
Pd-功率耗散 | 1.04 kW |
Qg-GateCharge | 740 nC |
Qg-栅极电荷 | 740 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4.5 V |
上升时间 | 85 ns |
下降时间 | 50 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 73000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 740nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 60A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
典型关闭延迟时间 | 200 ns |
功率-最大值 | 1040W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
商标名 | TrenchP |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 30 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | PLUS 247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 85 S |
汲极/源极击穿电压 | - 200 V |
漏极连续电流 | - 120 A |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
系列 | IXTX120P20 |
通道模式 | Enhancement |