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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU224PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU224PBF价格参考。VishayIRFU224PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFU224PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU224PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFU224PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): IRFU224PBF适用于开关电源中的功率开关,能够高效处理高频开关操作,提供稳定的电流输出。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低功耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动: 在小型直流电机或步进电机驱动中,该MOSFET可用作开关元件,控制电机的启停、转向和速度调节。其高电流承载能力和快速开关速度使其非常适合此类应用。 3. 逆变器电路: 用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,作为功率级开关器件,将直流电转换为交流电。其出色的耐压性能(最高600V)确保在高压环境下稳定运行。 4. 负载切换: 在需要频繁切换负载的应用中(如汽车电子或工业设备),IRFU224PBF可以实现快速、可靠的负载切换,同时减少能量损耗。 5. DC-DC转换器: 在降压或升压DC-DC转换器中,该MOSFET用作主开关管,通过PWM信号控制输出电压的稳定性和精度。 6. 保护电路: 可用于过流保护、短路保护等电路中,利用其低导通电阻和高耐压特性,确保系统在异常情况下安全运行。 7. 音频放大器: 在某些音频功率放大器设计中,IRFU224PBF可以用作输出级驱动器,提供大电流输出以驱动扬声器。 总之,IRFU224PBF凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点,适合各种需要高效功率控制和开关操作的场景,尤其是在高电压、中等电流的应用中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAKMOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU224PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFU224PBFIRFU224PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.1 欧姆 @ 2.3A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 其它名称 | *IRFU224PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.1 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 250 V |
| 漏极连续电流 | 3.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.8A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |