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IRFB4510PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4510PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4510PBF价格参考。International RectifierIRFB4510PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 62A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4510PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4510PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFB4510PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):IRFB4510PBF适用于开关电源中的功率开关器件,用于实现高效的直流-直流转换或交流-直流转换。 - DC-DC转换器:在降压或升压电路中作为主开关元件,控制电压输出的稳定性和效率。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:用于驱动风扇、水泵等小型电机,提供高效率和低功耗的性能。 - H桥电路:在双向电机控制中,该MOSFET可以构成H桥的一部分,实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 负载开关 - 在电子设备中用作负载开关,控制电流流向特定负载,例如USB端口、LED灯或其他外设。 4. 电池管理系统(BMS) - 用于保护电池免受过流、短路或反向连接的影响,确保电池的安全运行。 5. 逆变器 - 在小型逆变器中作为功率开关,将直流电转换为交流电,用于太阳能逆变器或不间断电源(UPS)系统。 6. 汽车电子 - 适用于汽车中的低功率应用,如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等。 7. 信号放大与缓冲 - 在某些情况下,IRFB4510PBF可以用作信号放大器或缓冲器,增强信号强度以驱动更高负载。 性能优势 - 低导通电阻(Rds(on)):减少导通时的功率损耗,提高整体效率。 - 高击穿电压:能够承受较高的电压,适合多种高压应用场景。 - 快速开关特性:降低开关损耗,适合高频应用。 综上所述,IRFB4510PBF因其高性能和可靠性,适用于多种工业、消费电子及汽车领域的功率管理和控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 62A TO220ABMOSFET 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 62 A |
| Id-连续漏极电流 | 62 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4510PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB4510PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 58 nC |
| Qg-栅极电荷 | 58 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3180pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.5 毫欧 @ 37A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | StrongIRFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 100 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 62A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |