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  • 型号: IRFB4510PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFB4510PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4510PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4510PBF价格参考。International RectifierIRFB4510PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 62A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4510PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4510PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFB4510PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):IRFB4510PBF适用于开关电源中的功率开关器件,用于实现高效的直流-直流转换或交流-直流转换。
   - DC-DC转换器:在降压或升压电路中作为主开关元件,控制电压输出的稳定性和效率。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:用于驱动风扇、水泵等小型电机,提供高效率和低功耗的性能。
   - H桥电路:在双向电机控制中,该MOSFET可以构成H桥的一部分,实现电机的正转、反转和制动功能。

 3. 负载开关
   - 在电子设备中用作负载开关,控制电流流向特定负载,例如USB端口、LED灯或其他外设。

 4. 电池管理系统(BMS)
   - 用于保护电池免受过流、短路或反向连接的影响,确保电池的安全运行。

 5. 逆变器
   - 在小型逆变器中作为功率开关,将直流电转换为交流电,用于太阳能逆变器或不间断电源(UPS)系统。

 6. 汽车电子
   - 适用于汽车中的低功率应用,如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等。

 7. 信号放大与缓冲
   - 在某些情况下,IRFB4510PBF可以用作信号放大器或缓冲器,增强信号强度以驱动更高负载。

 性能优势
- 低导通电阻(Rds(on)):减少导通时的功率损耗,提高整体效率。
- 高击穿电压:能够承受较高的电压,适合多种高压应用场景。
- 快速开关特性:降低开关损耗,适合高频应用。

综上所述,IRFB4510PBF因其高性能和可靠性,适用于多种工业、消费电子及汽车领域的功率管理和控制应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N CH 100V 62A TO220ABMOSFET 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

62 A

Id-连续漏极电流

62 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4510PBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFB4510PBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

140 W

Pd-功率耗散

140 W

Qg-GateCharge

58 nC

Qg-栅极电荷

58 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

10.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

32 ns

下降时间

28 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3180pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

87nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13.5 毫欧 @ 37A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

典型关闭延迟时间

28 ns

功率-最大值

140W

包装

管件

商标

International Rectifier

商标名

StrongIRFET

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

100 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

62A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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