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Datasheet下载- 型号： IRFH5303TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5303TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5303TRPBF价格参考。International RectifierIRFH5303TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH5303TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5303TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IRFH5303TRPBF 的晶体管是一款 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于分立式单个MOSFET类别。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源供应器和负载开关等应用，因其具备高效率和快速开关特性，适合用于节能型电源系统。 2. 电机控制：在电动车、电动工具、工业自动化设备中，用于控制电机的启停与转速调节，具有良好的导通电阻和电流承载能力。 3. 汽车电子：广泛应用于汽车中的车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及车身控制模块，符合汽车级可靠性要求。 4. 工业自动化：用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动、传感器控制等场景，具备高稳定性和耐用性。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电源管理模块、智能家电中的功率控制部分。 该器件采用N沟道增强型MOSFET结构，封装形式为TSOP，便于表面贴装，适合高密度PCB布局。其低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，有助于降低功耗并提高系统效率。 总结来说，IRFH5303TRPBF适用于对效率、空间和可靠性有较高要求的中高功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 82A 8-PQFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFH5303TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2190pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 49A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Ta）， 82A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5303.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5303.spi |
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