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详细数据请看参考数据手册
- 型号： RSQ030P03TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSQ030P03TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSQ030P03TR价格参考。ROHM SemiconductorRSQ030P03TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSQ030P03TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSQ030P03TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）的RSQ030P03TR是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件具有低导通电阻、小封装和高可靠性等特点，广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。 典型应用场景包括： 1. 电池供电设备：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电源开关或负载切换，因其低功耗特性有助于延长电池续航时间。 2. DC-DC转换电路：在降压（Buck）或稳压电源中作为同步整流或高端/低端开关，提升转换效率。 3. 电源管理单元（PMU）：用于控制不同模块的供电通断，实现节能与系统稳定性。 4. 过压/反向电压保护电路：利用其开关特性，防止电池反接或电压异常对系统造成损坏。 5. 小型电机驱动或LED驱动电路：适用于低功率驱动场景，提供可靠的开关控制。 RSQ030P03TR采用小型化封装（如SOP-8或类似），适合空间受限的高密度PCB设计，同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于工业控制、消费电子和物联网终端等环境。其30V耐压和较低的栅极阈值电压，使其能兼容3.3V或5V逻辑信号直接驱动，简化了驱动电路设计。 综上，RSQ030P03TR是一款适用于低功耗、高效率电源开关与控制场景的P沟道MOSFET，特别适合现代便携式电子产品和嵌入式系统使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | +/- 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSQ030P03TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSQ030P03TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | RSQ030P03DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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