Datasheet下载- 型号： FCH104N60F
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCH104N60F由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCH104N60F价格参考。Fairchild SemiconductorFCH104N60F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FCH104N60F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCH104N60F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCH104N60F 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS） - FCH104N60F 的高电压耐受能力（600V）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。例如，它可以用作功率因数校正（PFC）电路中的主开关或辅助开关。 - 在反激式、正激式或 LLC 谐振转换器中，该 MOSFET 可作为主开关器件，用于高效能量转换。 2. 电机驱动 - 该型号的 MOSFET 可用于工业电机驱动和家用电器中的电机控制。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 180mΩ@10V）有助于降低功耗，提高效率。 - 适用于中小功率电机的启动、运行及调速控制。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）或其他类型的逆变器中，FCH104N60F 可用于高频开关操作，将直流电转换为交流电。 - 它的快速开关特性和较低的开关损耗使其成为逆变器设计的理想选择。 4. 负载切换 - 该 MOSFET 可用于汽车电子、工业设备或消费电子产品中的负载切换应用。例如，在汽车中可用作继电器替代品，控制大电流负载（如车灯、风扇等）的开启与关闭。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护或过压保护电路中，FCH104N60F 可用作开关元件。其坚固的设计能够承受瞬态电压冲击，确保系统稳定运行。 6. 电池管理系统（BMS） - 在电动汽车（EV）、电动自行车或储能系统的电池管理系统中，该 MOSFET 可用于电池组的充放电控制和保护功能。 特性总结： - 额定电压：600V，适合高压环境。 - 额定电流：4A（在特定条件下），满足中小功率需求。 - 低 Rds(on)：减少导通损耗，提高效率。 - 快速开关性能：支持高频应用，降低开关损耗。 综上所述，FCH104N60F 广泛应用于需要高效能、高可靠性和高压操作的电力电子领域，是许多功率转换和控制应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 37A TO-247MOSFET N-Channel SuperFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
| Id-连续漏极电流 | 37 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCH104N60FSuperFETII® FRFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCH104N60F |
| Pd-PowerDissipation | 357 W |
| Pd-功率耗散 | 357 W |
| Qg-GateCharge | 139 nC |
| Qg-栅极电荷 | 139 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 104 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 104 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 58 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5950pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 139nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 104 毫欧 @ 18.5A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 典型关闭延迟时间 | 206 ns |
| 功率-最大值 | 357W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 47 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 37A （Tc） |
| 系列 | FCH104 |
| 配置 | Single |
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