Datasheet下载- 型号： SIA430DJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA430DJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA430DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA430DJ-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIA430DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA430DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIA430DJ-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 电源管理： 该MOSFET适用于开关电源、DC-DC转换器和电压调节模块。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够高效地控制电流流动，减少能量损耗。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，SIA430DJ-T1-GE3可用于驱动直流电机或步进电机，实现速度和方向的精确控制。 3. 负载开关： 作为负载开关，它可以在电路中快速开启或关闭电流路径，适用于消费电子设备中的电源管理。 4. 电池保护： 在便携式设备中，这款MOSFET可用于电池保护电路，防止过流、短路或反向充电等问题。 5. 信号切换： 在需要高频信号切换的应用中，例如音频设备或通信系统，它可以提供低失真和高效率的信号传输。 6. 汽车电子： 该器件满足AEC-Q101标准，适用于汽车电子系统中的负载控制，如车窗升降器、雨刷器等。 7. 工业应用： 包括工业自动化设备中的继电器替代、传感器接口和功率放大器等。 SIA430DJ-T1-GE3具有出色的电气性能和可靠性，适合多种低压、大电流的应用场景，同时其紧凑的封装形式使其易于集成到现代电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6MOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA430DJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA430DJ-T1-GE3SIA430DJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns, 8 ns |
| 下降时间 | 10 ns, 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.5 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 其它名称 | SIA430DJ-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns, 17 ns |
| 功率-最大值 | 19.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | SIA4xxDJ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Dual Source |
| 零件号别名 | SIA430DJ-GE3 |
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