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STF13N60M2产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF13N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF13N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTF13N60M2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF13N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF13N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STF13N60M2是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) - STF13N60M2具有高耐压(600V)和低导通电阻的特点,适合用于开关电源中的功率开关。例如,在AC-DC转换器、DC-DC转换器中,作为主开关管或同步整流管,提供高效的电能转换。 2. 电机驱动 - 在工业控制或家电领域中,该器件可用于驱动中小型电机。例如,在家用电器(如吸尘器、风扇)或工业设备(如泵、压缩机)中,作为电机控制器的一部分,实现高效的速度调节和方向控制。 3. 逆变器 - 该MOSFET适用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器电路中,用于将直流电转换为交流电。其高耐压特性和良好的动态性能使其能够承受逆变过程中的电压波动。 4. 电磁阀控制 - 在需要高电压驱动的应用中,如汽车电子或工业自动化设备中的电磁阀控制,STF13N60M2可以作为开关元件,快速准确地控制电磁阀的开启和关闭。 5. 负载开关 - 在需要高可靠性负载切换的应用中,例如UPS系统或电池管理系统(BMS),该MOSFET可以用作负载开关,确保电路的安全运行并减少能量损耗。 6. PFC(功率因数校正)电路 - 在功率因数校正电路中,STF13N60M2可以用作功率开关,帮助提高系统的功率因数,降低谐波失真,满足严格的能效标准。 7. 保护电路 - 该器件还可用于过流保护、短路保护等电路中,通过快速响应和高耐压特性,保护下游电路免受异常电流或电压的影响。 总结 STF13N60M2凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能,广泛应用于电力电子领域,特别是在需要高效电能转换和高可靠性的场景中表现突出。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子,这款MOSFET都能提供稳定且高效的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FPMOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDMesh II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF13N60M2MDmesh™ II Plus |
数据手册 | |
产品型号 | STF13N60M2 |
Pd-PowerDissipation | 25 W |
Pd-功率耗散 | 25 W |
Qg-GateCharge | 17 nC |
Qg-栅极电荷 | 17 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 9.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 580pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 5.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-13832-5 |
典型关闭延迟时间 | 41 ns |
功率-最大值 | 25W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
系列 | STF13N60M2 |
配置 | Single |