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- 型号： IXTA6N50P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA6N50P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA6N50P价格参考。IXYSIXTA6N50P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTA6N50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTA6N50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTA6N50P是一款高压增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道单MOSFET器件，常用于高电压、中等电流的开关应用。其耐压高达500V，连续漏极电流可达6A，具备较低的导通电阻和良好的热稳定性，适合在高效率电源转换系统中工作。 该型号主要应用于工业控制、电源管理及电力电子领域。典型使用场景包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器（如太阳能逆变器）、UPS不间断电源、电机驱动电路以及高压照明系统（如荧光灯、HID灯镇流器）。由于其具备较高的击穿电压和良好的开关特性，也适用于需要快速开关动作的脉冲功率系统。 此外，IXTA6N50P采用TO-247封装，具有良好的散热性能，可在较宽温度范围内稳定运行，适合对可靠性要求较高的工业环境。它常被用于替代老式双极性晶体管或性能相近的其他MOSFET，以提升系统效率并降低功耗。 综上所述，IXTA6N50P广泛应用于需要高压、高效开关能力的电源与功率控制系统中，是工业电源和能源转换设备中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAKMOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTA6N50PPolarHV™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTA6N50P |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Qg-GateCharge | 14.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.1 欧姆 @ 3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263 （IXTA） |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.600 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | PolarHV |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 3.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 系列 | IXTA6N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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