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产品简介:
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NTB4302G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,适用于多种电源管理和开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率,降低损耗。 2. 电机控制:在直流电机驱动器或步进电机控制电路中作为开关元件,实现电机启停或转速调节。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中,用于高效能开关和功率控制。 4. LED照明:作为恒流驱动或调光控制开关,适用于高亮度LED驱动电路。 5. 工业自动化:用于PLC、传感器模块、继电器驱动等工业控制系统中,实现快速、可靠的开关操作。 6. 汽车电子:如车载充电器、LED车灯驱动、电动助力转向系统等,满足车载环境对可靠性和效率的要求。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合高频、高效能的开关应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTB4302G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 24V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.3 毫欧 @ 37A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 80W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 74A (Tc) |