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Datasheet下载- 型号： STB18N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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STB18N65M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB18N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB18N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTB18N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 15A（Tc） 110W（Tc） D2PAK。您可以下载STB18N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB18N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB18N65M5是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：STB18N65M5具有低导通电阻和高击穿电压（650V），非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以作为主开关管或同步整流管，用于AC-DC或DC-DC转换器中。 2. 电机驱动：该器件可用于控制各种类型的电机，如直流无刷电机（BLDC）、步进电机等。其高耐压和大电流能力使其能够承受电机启动时的浪涌电流，并提供稳定的驱动性能。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，STB18N65M5可以用作功率级开关，实现高效的能量转换和输出波形调节。 4. 负载切换：由于其快速开关特性和低导通损耗，这款MOSFET适用于需要频繁切换高电压、大电流负载的应用场合，例如工业设备、家用电器中的负载管理电路。 5. 不间断电源（UPS）系统：在UPS系统中，STB18N65M5可以用于电池充放电管理以及逆变电路中，确保系统的稳定运行和高效能量传输。 6. PFC（功率因数校正）电路：在要求高功率因数的电路设计中，此MOSFET可作为升压开关使用，帮助提高输入端的功率因数并减少谐波失真。 总之，STB18N65M5凭借其优异的电气特性，在众多涉及高压、大电流操作的电子设备和系统中有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 15A D2PAKMOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB18N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB18N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 31 nC |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 198 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | 497-13083-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253473?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 198 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 650 V |
| 漏极连续电流 | 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
| 系列 | STB18N65M5 |
| 配置 | Single |
