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FQD1N60CTM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD1N60CTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD1N60CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD1N60CTM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD1N60CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD1N60CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD1N60CTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FQD1N60CTM 的高电压耐受能力(600V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它能够高效地控制功率转换过程中的电流流动。 - 常见应用包括适配器、充电器和 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 - 由于其低导通电阻和快速开关特性,这款 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动电路中,实现高效的开关控制。 - 应用场景包括家用电器(如风扇、水泵)和工业设备中的电机控制。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,FQD1N60CTM 可以作为开关元件,将直流电转换为交流电。 - 其高击穿电压和低漏电流特性有助于提高逆变器的效率和可靠性。 4. 电子负载保护 - FQD1N60CTM 可用于过流保护、短路保护和负载切换等场景,确保电路在异常情况下不会损坏。 - 常见于电池管理系统 (BMS) 和汽车电子设备中。 5. 高频开关应用 - 该器件具有较低的栅极电荷和快速开关速度,适合高频开关应用,例如高频振荡器和脉宽调制 (PWM) 控制器。 6. 家电和消费电子产品 - 在家用电器(如空调、冰箱、洗衣机)和消费电子产品(如显示器、音响设备)中,FQD1N60CTM 可用于电源管理和信号控制。 7. 汽车电子 - 该 MOSFET 可应用于汽车电子系统中的负载切换、继电器替代和电池保护等场景。 - 例如,在汽车启动系统、照明控制和电动窗驱动中提供可靠的性能。 总结 FQD1N60CTM 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,广泛适用于需要高效功率管理、高可靠性和紧凑设计的各种应用场景。这些特点使其成为工业、消费电子和汽车领域中不可或缺的元件之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 1A DPAKMOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
Id-连续漏极电流 | 1 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD1N60CTMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQD1N60CTM |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 21 ns |
下降时间 | 27 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11.5 欧姆 @ 500mA,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | FQD1N60CTM-ND |
典型关闭延迟时间 | 13 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 0.75 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A (Tc) |
系列 | FQD1N60 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQD1N60CTM_NL |