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  • 型号: FQD1N60CTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQD1N60CTM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD1N60CTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD1N60CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD1N60CTM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD1N60CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD1N60CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD1N60CTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQD1N60CTM 的高电压耐受能力(600V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它能够高效地控制功率转换过程中的电流流动。
   - 常见应用包括适配器、充电器和 DC-DC 转换器。

 2. 电机驱动
   - 由于其低导通电阻和快速开关特性,这款 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动电路中,实现高效的开关控制。
   - 应用场景包括家用电器(如风扇、水泵)和工业设备中的电机控制。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,FQD1N60CTM 可以作为开关元件,将直流电转换为交流电。
   - 其高击穿电压和低漏电流特性有助于提高逆变器的效率和可靠性。

 4. 电子负载保护
   - FQD1N60CTM 可用于过流保护、短路保护和负载切换等场景,确保电路在异常情况下不会损坏。
   - 常见于电池管理系统 (BMS) 和汽车电子设备中。

 5. 高频开关应用
   - 该器件具有较低的栅极电荷和快速开关速度,适合高频开关应用,例如高频振荡器和脉宽调制 (PWM) 控制器。

 6. 家电和消费电子产品
   - 在家用电器(如空调、冰箱、洗衣机)和消费电子产品(如显示器、音响设备)中,FQD1N60CTM 可用于电源管理和信号控制。

 7. 汽车电子
   - 该 MOSFET 可应用于汽车电子系统中的负载切换、继电器替代和电池保护等场景。
   - 例如,在汽车启动系统、照明控制和电动窗驱动中提供可靠的性能。

 总结
FQD1N60CTM 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,广泛适用于需要高效功率管理、高可靠性和紧凑设计的各种应用场景。这些特点使其成为工业、消费电子和汽车领域中不可或缺的元件之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 1A DPAKMOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1 A

Id-连续漏极电流

1 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD1N60CTMQFET®

数据手册

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产品型号

FQD1N60CTM

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

11.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

11.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

21 ns

下降时间

27 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

170pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11.5 欧姆 @ 500mA,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

FQD1N60CTM-ND
FQD1N60CTMTR

典型关闭延迟时间

13 ns

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

0.75 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1A (Tc)

系列

FQD1N60

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQD1N60CTM_NL

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