Datasheet下载- 型号： STD18N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD18N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD18N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTD18N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD18N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD18N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STD18N65M5 是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，属于超级结MOSFET系列，具有低导通电阻（RDS(on)）和高能效特性。该器件主要适用于需要高电压、高效率开关性能的应用场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC电源转换器，如适配器、充电器、PC电源和工业电源，尤其在反激式或准谐振拓扑中表现出色，有助于提升能效并降低功耗。 2. 照明系统：适用于LED驱动电源，特别是在高亮度LED照明和智能照明系统中，支持高效稳定供电。 3. 消费类电子产品：如电视、显示器、音响设备的内置电源模块，满足节能标准（如Energy Star）。 4. 工业控制与电源设备：用于UPS（不间断电源）、电机驱动辅助电源和工业电源模块，具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 待机电源电路：因其低漏电流和高效率，适合设计低待机功耗的绿色电源系统。 STD18N65M5采用先进的MDmesh™ M5技术，耐压高达650V，同时优化了栅极电荷和导通损耗，在高频工作条件下仍保持优异性能，是追求高效率和小型化设计的理想选择。其封装形式（如TO-220FP、D²PAK等）便于散热和安装，适用于多种电路布局。 综上，该MOSFET特别适用于对能效、空间和可靠性要求较高的中高功率电源应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 15A DPAKMOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD18N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD18N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 31 nC |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 198 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | 497-13088-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253474?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 198 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 650 V |
| 漏极连续电流 | 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-v-power-mosfets/50075 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
| 系列 | STD18N65M5 |
| 配置 | Single |
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