ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRF1324PBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF1324PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1324PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1324PBF价格参考¥8.02-¥19.41。International RectifierIRF1324PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 24V 195A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF1324PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1324PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF1324PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - IRF1324PBF适用于各种直流-直流转换器(DC-DC Converter)和开关模式电源(SMPS),用于提高电源效率并降低能耗。 - 可用于电池充电电路中,作为开关元件控制电流流向。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,IRF1324PBF可以用作功率开关,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少发热,提升系统效率。 3. 负载切换 - 用于负载切换电路中,实现对高电流负载的安全控制。 - 例如,在汽车电子系统中,可用于控制车灯、风扇或其他电气设备的开启与关闭。 4. 逆变器 - 在小型逆变器中,IRF1324PBF可以作为功率开关,将直流电转换为交流电,用于家用电器或工业设备供电。 5. 保护电路 - 用作过流保护或短路保护开关,防止电路因异常电流而损坏。 - 在USB充电器或电源适配器中,可提供过载保护功能。 6. 音频放大器 - 在D类音频放大器中,IRF1324PBF可用作输出级开关,提供高效的音频信号放大。 7. 太阳能微逆变器 - 在小型太阳能发电系统中,用于将光伏电池产生的直流电转换为交流电。 特性优势 - 低导通电阻:减少功率损耗,提高效率。 - 快速开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。 - 高可靠性:适合严苛环境下的长期运行。 总之,IRF1324PBF凭借其高性能和可靠性,成为消费电子、工业控制、汽车电子等领域中常用的功率开关器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 24V 195A TO220ABMOSFET MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 353 A |
Id-连续漏极电流 | 353 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1324PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF1324PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
Qg-GateCharge | 160 nC |
Qg-栅极电荷 | 160 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 24 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 24 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7590pF @ 24V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 毫欧 @ 195A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 300W |
功率耗散 | 300 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 1.2 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 160 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 24 V |
漏极连续电流 | 353 A |
漏源极电压(Vdss) | 24V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 195A (Tc) |
闸/源击穿电压 | 20 V |