Datasheet下载- 型号： IRFH5215TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5215TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5215TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH5215TR2PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH5215TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5215TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFH5215TR2PBF的MOSFET属于高性能功率场效应晶体管，广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。该器件是一款N沟道增强型MOSFET，具备低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和良好的热稳定性，适合在高频率和高电流条件下工作。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、同步整流器等，提升电源转换效率，常见于服务器、通信设备和工业电源中。 2. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）控制、电动工具及工业自动化设备中的功率开关元件。 3. 汽车电子：用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）等，满足汽车环境对可靠性和稳定性的高要求。 4. 消费类电子产品：如高性能笔记本电脑适配器、电源管理模块等，支持小型化与高效能设计。 5. 工业控制与自动化：在PLC、变频器、UPS不间断电源等设备中作为关键功率开关器件使用。 该MOSFET采用Trench沟槽技术，具备良好的开关特性和热性能，适合表面贴装（SMD），适用于自动化生产流程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFNMOSFET MOSFT 150V 27A 58mOhm 20nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5215TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5215TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 58 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 58 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 6.3 ns |
| 下降时间 | 2.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 58 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH5215TR2PBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | PQFN-10 5x6 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 21 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta）， 27A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5215pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5215pbf.spi |
| 配置 | Single |
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