Datasheet下载- 型号： IXTP120P065T
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP120P065T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP120P065T价格参考。IXYSIXTP120P065T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTP120P065T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTP120P065T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTP120P065T是一款P沟道功率MOSFET，主要应用于需要高效能和高稳定性的电源管理系统中。其典型应用场景包括： 1. 电源转换器与逆变器：适用于DC-AC逆变器、DC-DC转换器等电力电子设备，用于实现高效的电能转换。 2. 工业自动化系统：在工业控制设备中作为开关元件，用于驱动电机、继电器或电磁阀等负载。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制电路中，提供可靠的电流截止保护功能。 4. 汽车电子：可应用于车载电源系统、电动工具及电动车控制系统中，具备良好的耐压和过流能力。 5. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中作为主开关器件，确保电力中断时的平稳切换与持续供电。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压（650V）、大电流承载能力（120A）等特点，适合高温环境下运行，广泛用于中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 65V 120A TO-220MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 120 A |
| Id-连续漏极电流 | - 120 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTP120P065TTrenchP™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTP120P065T |
| Pd-PowerDissipation | 298 W |
| Pd-功率耗散 | 298 W |
| Qg-GateCharge | 185 nC |
| Qg-栅极电荷 | 185 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 185nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 298W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 65V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | IXTP120P065 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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