| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH52N30P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH52N30P价格参考。IXYSIXFH52N30P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFH52N30P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH52N30P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH52N30P是一款功率MOSFET晶体管,主要应用于需要高效功率转换和控制的场合。其典型应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源模块,适用于工业电源系统和高效率电源管理方案。 2. 电机驱动:用于直流电机或步进电机的驱动电路中,提供快速开关和低导通损耗,适合自动化设备和机器人控制系统。 3. 逆变器与变频器:在UPS不间断电源、太阳能逆变器和变频空调中,用于将直流电转换为交流电,具备高耐压和大电流承载能力。 4. 汽车电子:如车载充电器、电动工具和电池管理系统(BMS),适用于对可靠性和效率要求较高的车载功率控制场景。 5. 工业控制:用于PLC、伺服驱动器和工业自动化设备中的功率开关,支持高频操作和稳定性能。 该器件为P沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高耐压(300V)和大电流(52A)特性,适合高效率、高稳定性的功率应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 52A TO-247MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 52 A |
| Id-连续漏极电流 | 52 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH52N30PPolarHT™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH52N30P |
| Pd-PowerDissipation | 400 W |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| Qg-GateCharge | 110 nC |
| Qg-栅极电荷 | 110 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 73 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 73 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 66 毫欧 @ 500mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 400W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar, HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 73 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 300 V |
| 漏极连续电流 | 52 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 52A (Tc) |
| 系列 | IXFH52N30 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |