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STF57N65M5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF57N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF57N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTF57N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 42A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF57N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF57N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的型号为 STF57N65M5 的晶体管是一款 N沟道增强型功率MOSFET,属于MOSFET - 单器件类别。该器件具有较高的耐压和大电流能力,适用于多种高效率、高功率密度的电力电子应用。 主要应用场景包括: 1. 电源转换系统 STF57N65M5广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源设备中,因其具备低导通电阻和高开关频率特性,可提高能效并减小散热需求。 2. 电机驱动与变频器 适用于工业自动化控制中的电机驱动电路,如伺服电机、步进电机控制模块,以及小型变频器系统,提供高效可靠的功率切换功能。 3. 新能源领域 在太阳能逆变器、储能系统及电动车充电模块中,作为关键功率开关元件,实现电能的高效变换与管理。 4. 家电与消费类电子产品 可用于高端家用电器如空调、洗衣机等的内部电源管理系统,提升整机能效等级。 5. 工业控制系统 如PLC、继电器替代方案或负载开关中,实现对高电压/大电流负载的快速、可靠控制。 综上,STF57N65M5凭借其高性能参数,在电源管理、工业控制及绿色能源等多个领域中发挥重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FPMOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 26.5 A |
Id-连续漏极电流 | 26.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF57N65M5MDmesh™ V |
数据手册 | |
产品型号 | STF57N65M5 |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 63 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 63 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4200pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 63 毫欧 @ 21A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-13103-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253556?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
系列 | STF57N65M5 |