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  • 型号: STF57N65M5
  • 制造商: STMicroelectronics
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STF57N65M5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF57N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF57N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTF57N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 42A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF57N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF57N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics(意法半导体)的型号为 STF57N65M5 的晶体管是一款 N沟道增强型功率MOSFET,属于MOSFET - 单器件类别。该器件具有较高的耐压和大电流能力,适用于多种高效率、高功率密度的电力电子应用。

 主要应用场景包括:

1. 电源转换系统  
   STF57N65M5广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源设备中,因其具备低导通电阻和高开关频率特性,可提高能效并减小散热需求。

2. 电机驱动与变频器  
   适用于工业自动化控制中的电机驱动电路,如伺服电机、步进电机控制模块,以及小型变频器系统,提供高效可靠的功率切换功能。

3. 新能源领域  
   在太阳能逆变器、储能系统及电动车充电模块中,作为关键功率开关元件,实现电能的高效变换与管理。

4. 家电与消费类电子产品  
   可用于高端家用电器如空调、洗衣机等的内部电源管理系统,提升整机能效等级。

5. 工业控制系统  
   如PLC、继电器替代方案或负载开关中,实现对高电压/大电流负载的快速、可靠控制。

综上,STF57N65M5凭借其高性能参数,在电源管理、工业控制及绿色能源等多个领域中发挥重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FPMOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

26.5 A

Id-连续漏极电流

26.5 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF57N65M5MDmesh™ V

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产品型号

STF57N65M5

Pd-PowerDissipation

40 W

Pd-功率耗散

40 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

63 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

63 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4200pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

98nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

63 毫欧 @ 21A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-13103-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253556?referrer=70071840

功率-最大值

40W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

42A (Tc)

系列

STF57N65M5

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