Datasheet下载- 型号： IXFT44N50Q3
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT44N50Q3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT44N50Q3价格参考。IXYSIXFT44N50Q3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFT44N50Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFT44N50Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFT44N50Q3是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率场效应晶体管，常用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适合用于电源管理和功率转换领域。 典型应用场景包括： 1. 电源供应器：用于开关电源（SMPS）中的功率开关元件，实现高效的电能转换。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件使用，控制电机的启停与速度。 3. 逆变器系统：如太阳能逆变器、UPS不间断电源等，用于将直流电转换为交流电。 4. 工业自动化：在工业控制系统中用于负载开关、电源管理及高频率开关应用。 5. 电动汽车与充电设备：用于电池管理系统（BMS）或车载充电器中的功率控制部分。 该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-268MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFT44N50Q3HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFT44N50Q3 |
| Pd-PowerDissipation | 830 W |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| Qg-GateCharge | 93 nC |
| Qg-栅极电荷 | 93 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 93nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 22A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | 830W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 140 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-2 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 44 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44A （Tc） |
| 系列 | IXFT44N50 |
| 配置 | Single |
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