Datasheet下载- 型号： NTD3055L104G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3055L104G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3055L104G价格参考。ON SemiconductorNTD3055L104G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3055L104G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3055L104G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3055L104G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和功率控制的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，作为高效开关元件，提升电源转换效率。 2. 电机控制：在直流电机、步进电机驱动电路中，用于控制电机的启停与转速，适用于工业自动化和电动工具。 3. 负载开关：作为电子负载开关，控制高电流负载的通断，如LED照明、加热元件等。 4. 电池管理系统：用于电池充放电管理电路中，实现对电池状态的精确控制与保护。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、电动车辆的功率控制模块等环境。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压（100V）和较强电流承载能力（最大连续漏极电流达20A），适合中高功率应用。其封装形式（TO-220）便于散热，适用于需要稳定性和可靠性的工业与汽车场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAKMOSFET 60V 12A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD3055L104G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD3055L104G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 104 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 104 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 上升时间 | 104 ns |
| 下降时间 | 40.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 104 毫欧 @ 6A，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD3055L104G-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 功率耗散 | 48 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 104 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 9.1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 15 V |
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