ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FQPF22P10
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FQPF22P10产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF22P10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF22P10价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF22P10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 13.2A(Tc) 45W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF22P10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF22P10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF22P10 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS) - FQPF22P10 的高击穿电压(Vds = 100V)和低导通电阻(Rds(on) ≈ 0.18Ω @ Vgs = 10V)使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - 应用实例:AC-DC 或 DC-DC 转换器、反激式变换器、降压或升压转换器。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机的驱动电路,能够高效控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其低导通电阻有助于减少功耗,提高效率,尤其适合电池供电设备。 3. 负载开关 - 在便携式电子设备中,FQPF22P10 可作为高效的负载开关,用于动态管理电源分配。 - 例如,在手机、平板电脑或其他消费电子产品中实现快速开启/关闭功能。 4. 电池保护电路 - 用于锂电池或镍氢电池组的过流、短路保护电路中,确保电池安全运行。 - 其快速开关特性和低导通损耗有助于延长电池寿命。 5. 逆变器和太阳能微逆变器 - 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,FQPF22P10 可用作功率级开关器件,实现高效的能量转换。 6. LED 驱动 - 用于大功率 LED 照明系统的恒流驱动电路中,提供精确的电流控制。 - 其低热阻特性有助于散热设计,提升系统可靠性。 7. 汽车电子 - 在汽车电子应用中,如电动窗、雨刷器、座椅调节等低功率电机控制电路中使用。 - 符合车规级要求的场景(需确认具体认证情况)。 总结 FQPF22P10 凭借其优良的电气性能(如低 Rds(on)、高耐压和快速开关能力),广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域,特别是在需要高效功率转换和低功耗的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220FMOSFET 100V P-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 13.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 13.2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF22P10QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF22P10 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 170 ns |
| 下降时间 | 110 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 125 毫欧 @ 6.6A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13.2A (Tc) |
| 系列 | FQPF22P10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQPF22P10_NL |