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- 型号： STFI31N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STFI31N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFI31N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTFI31N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STFI31N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STFI31N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STFI31N65M5是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于超级结MOSFET系列，适用于高效率、高电压功率转换应用。其额定电压为650V，具备低导通电阻和优异的开关性能，广泛应用于对能效和功率密度要求较高的场景。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于服务器电源、通信电源、工业电源等高效率AC-DC转换器，尤其在连续导通模式（CCM）PFC（功率因数校正）电路中表现优异，有助于提升整体能效。 2. 照明电源：用于LED驱动电源，特别是在高功率LED路灯、工业照明等需要高可靠性和高效能的场合。 3. 光伏逆变器：在太阳能发电系统中的DC-AC逆变电路中，该器件可实现高效能量转换，满足新能源设备对低损耗和高耐压的需求。 4. 家电变频系统：如空调、洗衣机等变频器中的功率转换模块，支持节能运行和小型化设计。 5. 工业电机驱动：适用于中小功率电机控制，提供快速开关响应和良好的热稳定性。 STFI31N65M5采用先进的M5技术，具有较低的栅极电荷和导通损耗，配合优化的封装（如TO-220FP或类似），具备良好的散热性能和可靠性，适合在高温环境下稳定运行。因此，该器件特别适用于追求高能效、高功率密度和长期稳定性的工业与消费类电源系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STFI31N65M5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1865pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 148 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAKFP （281） |
| 其它名称 | 497-13162 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253435?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3 整包， I²Pak |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
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