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  • 型号: DMN6040SVT-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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DMN6040SVT-7产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN6040SVT-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN6040SVT-7价格参考。Diodes Inc.DMN6040SVT-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 5A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26。您可以下载DMN6040SVT-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN6040SVT-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DMN6040SVT-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 负载开关:适用于便携式设备中的负载开关应用,用于控制电路的通断,降低功耗。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压 DC-DC 转换器中作为开关元件,提供高效的功率转换。
   - LDO 稳压器:用作低压差稳压器(LDO)的外部开关,以提高效率和灵活性。

 2. 电池管理系统
   - 电池保护电路:用于防止过充、过放、短路等异常情况,确保电池安全。
   - 充电电路:在便携式设备的充电电路中,作为开关或同步整流元件。

 3. 消费电子
   - 移动设备:如智能手机、平板电脑、智能手表等,用于电源管理和信号切换。
   - 音频设备:在耳机放大器、扬声器驱动器等音频电路中,用于信号处理和功率控制。

 4. 通信设备
   - 数据通信:在 USB 接口、以太网供电(PoE)等通信接口中,作为保护和开关元件。
   - 射频前端:用于低噪声放大器(LNA)或功率放大器(PA)的偏置控制。

 5. 工业应用
   - 电机驱动:在小型直流电机驱动中,作为开关元件控制电机的启停和速度。
   - 传感器接口:用于工业传感器的信号调理和电源管理。

 6. 汽车电子
   - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器、显示屏背光驱动等。
   - 车身控制模块:在车窗升降、座椅调节等低功率应用中,作为开关元件。

 特性支持
DMN6040SVT-7 具有低导通电阻(Rds(on))、小封装(SOT-363/SC-89)、高开关速度等特点,非常适合需要高效能、小尺寸和低功耗的应用场景。其工作电压范围广,能够适应多种电子系统的电压需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N CH 60V 5A TSOT26MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5 A

Id-连续漏极电流

5 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN6040SVT-7-

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产品型号

DMN6040SVT-7

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1.2 W

Pd-功率耗散

1.2 W

Qg-GateCharge

22.4 nC

Qg-栅极电荷

22.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

44 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

44 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

8.1 ns

下降时间

4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1287pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

44 毫欧 @ 4.3A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TSOT-26

其它名称

DMN6040SVT-7DICT

典型关闭延迟时间

20.1 ns

功率-最大值

1.2W

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

封装/箱体

TSOT-26-6

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

4.5 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Ta)

系列

DMN6040

通道模式

Enhancement

配置

Single

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