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DMN6040SVT-7产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN6040SVT-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN6040SVT-7价格参考。Diodes Inc.DMN6040SVT-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 5A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26。您可以下载DMN6040SVT-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN6040SVT-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN6040SVT-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:适用于便携式设备中的负载开关应用,用于控制电路的通断,降低功耗。 - DC-DC 转换器:在降压或升压 DC-DC 转换器中作为开关元件,提供高效的功率转换。 - LDO 稳压器:用作低压差稳压器(LDO)的外部开关,以提高效率和灵活性。 2. 电池管理系统 - 电池保护电路:用于防止过充、过放、短路等异常情况,确保电池安全。 - 充电电路:在便携式设备的充电电路中,作为开关或同步整流元件。 3. 消费电子 - 移动设备:如智能手机、平板电脑、智能手表等,用于电源管理和信号切换。 - 音频设备:在耳机放大器、扬声器驱动器等音频电路中,用于信号处理和功率控制。 4. 通信设备 - 数据通信:在 USB 接口、以太网供电(PoE)等通信接口中,作为保护和开关元件。 - 射频前端:用于低噪声放大器(LNA)或功率放大器(PA)的偏置控制。 5. 工业应用 - 电机驱动:在小型直流电机驱动中,作为开关元件控制电机的启停和速度。 - 传感器接口:用于工业传感器的信号调理和电源管理。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器、显示屏背光驱动等。 - 车身控制模块:在车窗升降、座椅调节等低功率应用中,作为开关元件。 特性支持 DMN6040SVT-7 具有低导通电阻(Rds(on))、小封装(SOT-363/SC-89)、高开关速度等特点,非常适合需要高效能、小尺寸和低功耗的应用场景。其工作电压范围广,能够适应多种电子系统的电压需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 5A TSOT26MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN6040SVT-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN6040SVT-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.2 W |
| Pd-功率耗散 | 1.2 W |
| Qg-GateCharge | 22.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 44 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 44 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 8.1 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1287pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 44 毫欧 @ 4.3A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSOT-26 |
| 其它名称 | DMN6040SVT-7DICT |
| 典型关闭延迟时间 | 20.1 ns |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSOT-26-6 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta) |
| 系列 | DMN6040 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |