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Datasheet下载- 型号： IXTQ52N30P
- 制造商： IXYS
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IXTQ52N30P产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTQ52N30P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTQ52N30P价格参考。IXYSIXTQ52N30P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 300V 52A（Tc） 400W（Tc） TO-3P。您可以下载IXTQ52N30P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTQ52N30P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的晶体管 - FET，MOSFET - 单型号IXTQ52N30P是一款N沟道增强型MOSFET，其应用场景广泛应用于高功率、高频开关电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： IXTQ52N30P适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器和逆变器。其30V的耐压能力和低导通电阻（Rds(on)）使其在高效能开关应用中表现出色。 2. 电机驱动： 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制，支持PWM调速功能，同时降低功耗。 3. 负载开关： 在需要快速切换负载的应用中，IXTQ52N30P可以作为高效的负载开关使用，例如电池管理系统（BMS）、汽车电子设备等。 4. 电源管理： 适用于各种电源管理模块，如USB充电器、适配器和便携式设备中的电源管理单元（PMU），提供稳定的电流和电压输出。 5. 工业自动化： 在工业控制系统中，该MOSFET可用来控制电磁阀、继电器和其他执行器，满足工业级可靠性要求。 6. 音频放大器： 由于其低导通电阻特性，IXTQ52N30P也可用于音频功率放大器的设计中，以减少热损耗并提高效率。 7. LED驱动： 在大功率LED照明系统中，该MOSFET可以用作恒流源控制器，确保LED亮度稳定且能耗低。 8. 通信设备： 在基站、路由器或其他通信设备中，IXTQ52N30P可用作信号调节或功率管理元件。 总之，IXTQ52N30P凭借其优良的电气性能和可靠性，非常适合于需要高效能开关和低功耗的各类电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 52A TO-3PMOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 52 A |
| Id-连续漏极电流 | 52 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTQ52N30PPolarHT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTQ52N30P |
| Pd-PowerDissipation | 400 W |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 66 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 66 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 66 毫欧 @ 26A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 400W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 5.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 52A （Tc） |
| 系列 | IXTQ52N30 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
