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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TPH7R506NH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH7R506NH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH7R506NH,L1Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPH7R506NH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPH7R506NH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPH7R506NH,L1Q 的晶体管,属于 Toshiba Semiconductor and Storage(东芝半导体与存储)旗下的 MOSFET - 单 类产品,主要应用于需要高效功率转换与控制的电子设备中。 该MOSFET是一款N沟道功率场效应晶体管,具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点,适合用于以下场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS),提升电源转换效率。 2. 电机驱动:用于电动工具、工业自动化设备中的电机控制模块,具备良好的开关性能和热稳定性。 3. 负载开关:在服务器、存储设备或工业控制系统中,作为高效率的电子开关使用。 4. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)等,满足车载环境对可靠性和耐温性的要求。 5. 消费类电子产品:包括笔记本电脑、游戏机、高性能充电器等,用于功率调节和节能设计。 该器件采用小型封装,适用于高密度PCB布局,同时具备良好的散热性能,适合高频开关应用。总体而言,TPH7R506NH,L1Q广泛适用于需要高效能、小型化和高可靠性的功率电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH7R506NH |
产品图片 | |
产品型号 | TPH7R506NH,L1Q |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 300µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2320pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 11A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
其它名称 | TPH7R506NHL1QCT |
功率-最大值 | 45W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Ta) |