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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBF20LPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBF20LPBF价格参考。VishayIRFBF20LPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFBF20LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBF20LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFBF20LPBF 是 Vishay Siliconix(现为 Vishay Microelectronics)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中,适用于需要高效、高可靠性和低导通电阻的场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等,因其具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,有助于提高电源转换效率并减少发热。 2. 电机控制:常用于直流电机驱动器、电动工具、电动车控制器等,作为高速开关元件,实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 照明系统:在 LED 驱动电路中,用于调光控制和恒流驱动,适用于高亮度 LED 照明系统。 4. 电池管理系统:用于电池充放电保护电路,如笔记本电脑、电动自行车、储能系统等,起到开关和保护作用。 5. 工业自动化:在工业控制设备中作为功率开关,用于继电器替代、负载开关或高频逆变器应用。 6. 消费类电子产品:如电视、音响、家电等设备中的电源模块和功率控制部分。 该器件采用 TO-220 封装,具备良好的热稳定性和易于散热设计,适合中高功率应用场景。其低栅极电荷(Qg)特性也有助于实现高频开关操作,提升系统响应速度和效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBF20LPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFBF20LPBFIRFBF20LPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 欧姆 @ 1A,10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | *IRFBF20LPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 56 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 8 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 900 V |
| 漏极连续电流 | 1.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |