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  • 型号: IRFBF20LPBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBF20LPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBF20LPBF价格参考。VishayIRFBF20LPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFBF20LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBF20LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFBF20LPBF 是 Vishay Siliconix(现为 Vishay Microelectronics)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中,适用于需要高效、高可靠性和低导通电阻的场景。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等,因其具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,有助于提高电源转换效率并减少发热。

2. 电机控制:常用于直流电机驱动器、电动工具、电动车控制器等,作为高速开关元件,实现对电机转速和方向的精确控制。

3. 照明系统:在 LED 驱动电路中,用于调光控制和恒流驱动,适用于高亮度 LED 照明系统。

4. 电池管理系统:用于电池充放电保护电路,如笔记本电脑、电动自行车、储能系统等,起到开关和保护作用。

5. 工业自动化:在工业控制设备中作为功率开关,用于继电器替代、负载开关或高频逆变器应用。

6. 消费类电子产品:如电视、音响、家电等设备中的电源模块和功率控制部分。

该器件采用 TO-220 封装,具备良好的热稳定性和易于散热设计,适合中高功率应用场景。其低栅极电荷(Qg)特性也有助于实现高频开关操作,提升系统响应速度和效率。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

1.7 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBF20LPBF-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFBF20LPBFIRFBF20LPBF

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

RdsOn-漏源导通电阻

8 Ohms

Vds-漏源极击穿电压

900 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

21 ns

下降时间

32 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

490pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 欧姆 @ 1A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I2PAK

其它名称

*IRFBF20LPBF

典型关闭延迟时间

56 ns

功率-最大值

3.1W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

8 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

汲极/源极击穿电压

900 V

漏极连续电流

1.7 A

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.7A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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