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  • 型号: IXFH14N100Q2
  • 制造商: IXYS
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IXFH14N100Q2产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH14N100Q2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH14N100Q2价格参考。IXYSIXFH14N100Q2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)。您可以下载IXFH14N100Q2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH14N100Q2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFH14N100Q2是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率场效应晶体管,具有高电压和较高电流承载能力。该器件的漏源电压(Vds)可达1000V,连续漏极电流(Id)为14A,适合用于高电压、中等功率的应用场合。

 主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,适用于需要高压输入输出隔离与高效能转换的工业电源系统。

2. 电机驱动与控制:可用于高压电机驱动电路,如变频器、伺服驱动器及电动汽车相关控制系统。

3. 逆变器系统:在光伏逆变器、不间断电源(UPS)等设备中作为核心开关元件,实现直流到交流的能量转换。

4. 照明系统:应用于高压LED驱动电源或高强度气体放电灯(HID)镇流器中,提供稳定高效的电源管理。

5. 工业自动化与控制:如PLC模块、工业机器人等设备中的高压负载切换与控制电路。

6. 测试与测量仪器:用于高电压测试设备、负载模拟器等,具备良好的动态响应与耐压能力。

总结来说,IXFH14N100Q2适用于需要高耐压、良好热稳定性与高频开关性能的电力电子系统,广泛服务于工业、能源、交通等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFH14N100Q2

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 4mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

83nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

950 毫欧 @ 7A,10V

供应商器件封装

TO-247AD (IXFH)

功率-最大值

500W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Tc)

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