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IXTA130N10T7产品简介:
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IXYS品牌的IXTA130N10T7是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET器件。该器件具有高电流、低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效功率转换和控制的多种应用场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,用于提高能量转换效率并减小电源体积。 2. 电机驱动:可用于直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中,提供快速响应和稳定控制。 3. 逆变器与变频器:适用于光伏逆变器、UPS不间断电源及工业变频设备中,实现电能形式的高效转换。 4. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)以及电动工具等,满足高可靠性和高稳定性的需求。 5. 工业自动化:用于工业控制设备、负载开关和高功率LED驱动等场合。 该MOSFET采用T7封装,具备良好的散热性能和较高的耐用性,适合在高电流、高频工作环境下使用,是工业级和汽车级应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IXTA130N10T7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMV™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 104nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.1 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-263-7 (IXTA..7) |
| 功率-最大值 | 360W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 130A (Tc) |