图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IXTA130N10T7
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IXTA130N10T7产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA130N10T7由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA130N10T7价格参考。IXYSIXTA130N10T7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 130A(Tc) 360W(Tc) TO-263(IXTA)。您可以下载IXTA130N10T7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTA130N10T7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXTA130N10T7是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET器件。该器件具有高电流、低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效功率转换和控制的多种应用场景。

主要应用场景包括:

1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,用于提高能量转换效率并减小电源体积。

2. 电机驱动:可用于直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中,提供快速响应和稳定控制。

3. 逆变器与变频器:适用于光伏逆变器、UPS不间断电源及工业变频设备中,实现电能形式的高效转换。

4. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)以及电动工具等,满足高可靠性和高稳定性的需求。

5. 工业自动化:用于工业控制设备、负载开关和高功率LED驱动等场合。

该MOSFET采用T7封装,具备良好的散热性能和较高的耐用性,适合在高电流、高频工作环境下使用,是工业级和汽车级应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

IXTA130N10T7

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMV™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5080pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

104nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9.1 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

TO-263-7 (IXTA..7)

功率-最大值

360W

包装

管件

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

130A (Tc)

IXTA130N10T7 相关产品

FQD8P10TF_NB82052

品牌:ON Semiconductor

价格:

AOD456A

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

2SK326800L

品牌:Panasonic Electronic Components

价格:

SSM6K202FE,LF

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

AUIRL2203N

品牌:Infineon Technologies

价格:

TPCP8004(TE85L,F)

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

SIR426DP-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

NTP30N20G

品牌:ON Semiconductor

价格: