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  • 型号: IXFX24N100Q3
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFX24N100Q3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFX24N100Q3价格参考。IXYSIXFX24N100Q3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFX24N100Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFX24N100Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

24 A

Id-连续漏极电流

24 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFX24N100Q3HiPerFET™

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产品型号

IXFX24N100Q3

Pd-PowerDissipation

1000 W

Pd-功率耗散

1 kW

Qg-GateCharge

140 nC

Qg-栅极电荷

140 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

440 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

440 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1 kV

Vds-漏源极击穿电压

1 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

300 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

6.5V @ 4mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

140nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

440 毫欧 @ 12A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PLUS247™-3

功率-最大值

1000W

包装

管件

商标

IXYS

商标名

HiPerFET

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

PLUS 247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

24A (Tc)

系列

IXFX24N100

配置

Single

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