Datasheet下载- 型号： ZVN3310A
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN3310A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN3310A价格参考。Diodes Inc.ZVN3310A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN3310A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN3310A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN3310A 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） ZVN3310A 的低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关应用。它可以高效地控制电压和电流的切换，适用于小型适配器、充电器和其他便携式设备的电源管理。 2. 电机驱动 该器件可用于低功率直流电机驱动电路中，作为电机的开关元件。通过 PWM（脉宽调制）信号控制 ZVN3310A 的导通与关断，可以实现对电机速度和方向的调节。 3. 负载开关 在消费电子和工业设备中，ZVN3310A 可用作负载开关，用于动态控制电路中不同负载的供电状态。它能够减少功耗并保护下游电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理 ZVN3310A 常被用于电池供电设备中的电池保护和充放电管理。例如，在锂离子电池保护电路中，它可以防止过充、过放或短路情况的发生。 5. 信号切换 由于其低漏电流和良好的线性特性，ZVN3310A 还可以用于模拟信号切换应用，例如音频信号路径的选择或传感器信号的路由。 6. LED 驱动 在 LED 照明应用中，ZVN3310A 可以作为电流调节元件，通过恒流源驱动单个或多个串联 LED，确保亮度一致性和稳定性。 7. 便携式设备 该器件的小封装尺寸和低功耗特性使其非常适合应用于手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中，提供高效的功率管理和空间优化。 总结来说，ZVN3310A 凭借其出色的电气性能和紧凑的封装设计，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域，特别是在需要高效功率转换和精确电流控制的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3MOSFET N-Chnl 100V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN3310A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN3310A |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 6 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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