ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFB4110PBF
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Datasheet下载- 型号： IRFB4110PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4110PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4110PBF价格参考￥12.50-￥15.63。International RectifierIRFB4110PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB4110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB4110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFB4110PBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于FET类别的功率半导体器件。该型号的主要应用场景包括： 1. 电源管理：IRFB4110PBF广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少能量损耗，适用于需要高效能和低功耗的应用。 2. 电机驱动：在电机控制领域，该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）。其快速开关特性和低导通电阻使其适合用于高频率PWM（脉宽调制）控制，能够实现精确的速度和扭矩控制。 3. 工业自动化：在工业自动化设备中，IRFB4110PBF可用于固态继电器、可编程逻辑控制器（PLC）等设备中的信号隔离和功率传输。它能够承受较高的电流和电压，确保系统的稳定性和可靠性。 4. 消费电子：该MOSFET还适用于消费电子产品，如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等。其紧凑的封装形式和高效性能使得它成为小型化、便携式设备的理想选择。 5. 汽车电子：在汽车电子系统中，IRFB4110PBF可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制系统等。它具有良好的抗干扰能力和环境适应性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。 6. 通信设备：在通信基础设施中，如基站电源、服务器电源等，IRFB4110PBF可以提供高效的功率转换，支持大电流输出，同时保持较低的温升，延长设备使用寿命。 总之，IRFB4110PBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用场合，特别是在对效率、功耗和稳定性有较高要求的领域中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4110PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB4110PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 370 W |
| Pd-功率耗散 | 370 W |
| Qg-GateCharge | 150 nC |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9620pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 370W |
| 功率耗散 | 370 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3.7 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 150 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 180 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb4110pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4110pbf.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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