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Datasheet下载- 型号： FDD6688
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDD6688产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6688由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6688价格参考￥7.90-￥8.43。Fairchild SemiconductorFDD6688封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 84A（Ta） 83W（Ta） D-PAK（TO-252）。您可以下载FDD6688参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6688 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6688是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高性能MOSFET器件，属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：FDD6688常用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块中，适用于笔记本电脑、服务器及通信设备的电源系统，因其低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，有助于提高能效并减少发热。 2. 电机控制：在工业自动化与机器人系统中，FDD6688可用于驱动直流电机或步进电机，具备快速开关特性，适合PWM调速控制应用。 3. 负载开关与电源分配：该器件也适用于智能电源分配系统，如热插拔电路、电池管理系统（BMS）等场景，能够实现对负载的高效控制与保护。 4. 汽车电子：由于其具备较高的可靠性与温度耐受性，FDD6688也常见于汽车电子系统中，例如车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）等。 5. 消费类电子产品：在智能手机、平板电脑等便携设备的充电管理与电源切换电路中也有广泛应用。 总结而言，FDD6688凭借其优异的性能参数，适用于多种高效率、高频开关及中高功率的应用场合，尤其适合对空间与散热设计有较高要求的系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD6688 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3845pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 18A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD6688CT |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 84A （Ta） |
