Datasheet下载- 型号： IRLR3915PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3915PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3915PBF价格参考。International RectifierIRLR3915PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR3915PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR3915PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLR3915PBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该型号属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别，适用于多种电力电子应用场合。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：IRLR3915PBF 的低导通电阻（Rds(on)）和高开关频率特性使其非常适合用于高效能的降压或升压DC-DC转换器中。 - 电池管理系统（BMS）：可用于锂离子电池保护电路中，作为充放电路径的开关元件，确保电池的安全运行。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：在消费类电子产品、家用电器和工业设备中，用于驱动小型直流电机，提供精确的速度和方向控制。 - H桥电路：用于构建H桥电路以实现电机的双向控制。 3. 负载切换 - 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中用作负载开关，控制不同模块的供电状态，降低功耗。 - 继电器替代：由于其快速开关特性和长寿命，可替代传统机械继电器用于频繁切换的应用。 4. 汽车电子 - 车身控制系统：应用于车窗升降器、座椅调节、雨刷器等需要低功耗和高可靠性的场景。 - LED照明驱动：用于汽车内外部LED灯的驱动电路中，提供稳定的电流输出。 5. 通信设备 - 信号调理：在基站和其他通信设备中，用于信号路径的开关和调节。 - 功率放大器偏置控制：为射频功率放大器提供高效的偏置控制。 6. 消费类电子产品 - 笔记本电脑适配器：用于适配器中的功率转换电路，提高效率并减小体积。 - 游戏机和音频设备：用于电源管理和音频信号处理。 7. 工业自动化 - 传感器接口：在工业自动化系统中，用于传感器信号的隔离和放大。 - PLC输出模块：作为可编程逻辑控制器（PLC）输出模块中的开关元件。 IRLR3915PBF 凭借其优异的电气性能（如低导通电阻、高电流能力和快速开关速度），能够在上述应用场景中提供高效、可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 30A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 61nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 61 A |
| Id-连续漏极电流 | 61 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3915PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR3915PBF |
| Pd-PowerDissipation | 120 W |
| Pd-功率耗散 | 120 W |
| Qg-GateCharge | 61 nC |
| Qg-栅极电荷 | 61 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 3 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRLR3915PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 83 ns |
| 功率-最大值 | 120W |
| 功率耗散 | 120 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 17 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 61 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 42 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 61 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr3915.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
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