Datasheet下载- 型号： TJ20S04M3L(T6L1,NQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TJ20S04M3L(T6L1,NQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TJ20S04M3L(T6L1,NQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TJ20S04M3L(T6L1,NQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TJ20S04M3L(T6L1,NQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TJ20S04M3L(T6L1,NQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba半导体与存储推出的TJ20S04M3L(T6L1,NQ)是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于各类电子设备中。该器件采用小型化封装（如SOP或类似封装），具备低导通电阻、高开关速度和良好热稳定性等特点，适合在空间受限且对效率要求较高的场合使用。 典型应用场景包括：便携式电子产品中的电源管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池保护电路；各类DC-DC转换器中作为开关元件，提升电源转换效率；电机驱动电路，用于小功率直流电机或步进电机的控制；以及LED驱动电路中实现恒流调节。此外，该MOSFET也常用于负载开关、热插拔控制器和过流保护模块中，发挥其快速响应和低损耗优势。 由于其良好的可靠性和符合工业标准的封装，TJ20S04M3L还适用于消费类电子、工业控制和家用电器等领域的信号切换与功率控制。整体而言，这款MOSFET在追求高效能、小型化和低功耗设计的现代电子系统中具有广泛适用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ20S04M3L点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TJ20S04M3L(T6L1,NQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1850pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22.2 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK+ |
| 其它名称 | TJ20S04M3L(T6L1NQ |
| 功率-最大值 | 41W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
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