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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI4831DY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、服务器、电源适配器等设备中的 DC-DC 转换器和负载开关,实现高效的能量转换和分配。 2. 电池供电设备:常见于电池管理系统(BMS)中,用于控制充放电路径,防止反向电流,保护电池安全。 3. 负载开关与电源控制:在便携式电子产品(如智能手机、平板电脑)中作为负载开关,控制外围设备的电源通断,提升系统能效。 4. 电机驱动与继电器替代:用于小型电机、继电器驱动电路,具备高开关速度和低导通电阻,减少发热并提高可靠性。 5. 汽车电子:在车载系统中用于电源控制、LED 照明驱动等,具备良好的热稳定性和抗干扰能力。 该器件采用小型封装(如 TSOP),适合高密度 PCB 设计,广泛应用于对空间和效率要求较高的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管(隔离式) |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4831DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | LITTLE FOOT® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 5A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4831DY-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |