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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTX22N100L由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTX22N100L价格参考。IXYSIXTX22N100L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTX22N100L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTX22N100L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTX22N100L是一款高电压、大电流的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效功率转换和控制的场景。其额定电压为1000V,连续漏极电流可达22A,具备良好的导通特性和开关性能。 该器件常用于以下应用场景: 1. 电源设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS不间断电源等,适用于高压输入条件下的能量转换需求。 2. 电机驱动与变频器:用于工业自动化中的电机控制、变频调速系统,提供高效的功率输出控制。 3. 照明系统:包括高强度气体放电灯(HID)镇流器、LED路灯电源等,支持高电压环境下的稳定照明供电。 4. 新能源领域:如太阳能逆变器、风能发电控制系统中,用于将直流电转换为交流电并网输出。 5. 家电与消费电子:在部分高端家用电器中用于功率调节模块,例如电磁炉、变频空调等。 6. 汽车电子:用于电动汽车或混合动力车中的电池管理系统、车载充电器等高压电路中。 由于其高耐压、低导通电阻及良好的热稳定性,IXTX22N100L适合工作于高温、高压和高负载环境下,是工业级和高可靠性应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247MOSFET LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
Id-连续漏极电流 | 22 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTX22N100L- |
数据手册 | |
产品型号 | IXTX22N100L |
Pd-PowerDissipation | 700 W |
Pd-功率耗散 | 700 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 50 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7050pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 270nC @ 15V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 11A,20V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
典型关闭延迟时间 | 80 ns |
功率-最大值 | 700W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | PLUS 247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |
系列 | IXTX22N100 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |