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Datasheet下载- 型号： FQB1P50TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB1P50TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB1P50TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB1P50TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB1P50TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB1P50TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB1P50TM 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号的主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源 (SMPS) - FQB1P50TM 的高电压耐受能力（额定 VDS = 500V）使其非常适合用于开关电源的设计，例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。 - 它可以作为主开关器件，用于高频开关操作，提供高效的能量转换。 2. 电机驱动与控制 - 在电机驱动应用中，FQB1P50TM 可以用作功率级开关，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其低导通电阻（RDS(on) = 4.6Ω，典型值）有助于减少功率损耗，提高效率。 3. 逆变器 - 该 MOSFET 可用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，将直流电转换为交流电。 - 高击穿电压和快速开关特性使其能够承受逆变器中的高压和高频工作条件。 4. 负载开关 - 在需要大电流负载切换的应用中，FQB1P50TM 可以用作负载开关，实现对负载的精确控制。 - 其低 RDS(on) 确保了在开关状态下产生的热量较少，从而延长设备寿命。 5. 电源保护电路 - FQB1P50TM 可用于过流保护、短路保护和过压保护电路中，确保系统的安全运行。 - 它的高耐压能力和快速响应速度使其能够在异常情况下迅速切断电路。 6. 家电与工业设备 - 在家用电器（如冰箱、空调、洗衣机）和工业设备（如泵、风扇）中，该 MOSFET 可用于功率控制和调节。 - 其紧凑的封装形式（TO-277A/DPAK）便于集成到小型化设计中。 7. 脉宽调制 (PWM) 控制 - FQB1P50TM 的快速开关特性和低栅极电荷使其非常适合 PWM 应用，例如 LED 驱动、音频放大器等。 总结 FQB1P50TM 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电力电子领域，特别是在需要高效功率转换和控制的场景中。其可靠性高、散热性能好，是许多高电压、中小功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAKMOSFET 500V P-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB1P50TMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQB1P50TM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 欧姆 @ 750mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263-2 |
| 其它名称 | FQB1P50TMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.26 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A |
| 系列 | FQB1P50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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