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  • 型号: BSS84,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BSS84,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84,215价格参考¥0.11-¥0.15。NXP SemiconductorsBSS84,215封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 50V 130mA (Ta) 250mW (Tc) Surface Mount TO-236AB。您可以下载BSS84,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS84,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 BSS84,215 是一款P沟道、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于单MOSFET器件,广泛应用于各类电子电路中。由于其小型封装(如SOT-23)、低功耗特性和良好的开关性能,BSS84常用于便携式和高密度电子产品。

典型应用场景包括:  
1. 电源管理开关:在电池供电设备中用作负载开关,控制电源通断,提高能效,常见于智能手机、平板电脑和可穿戴设备。  
2. 信号切换:用于模拟或数字信号路径的开关控制,例如音频线路切换或多路复用电路。  
3. 电平转换电路:在不同电压域之间进行逻辑电平转换,适用于I²C、GPIO等接口的双向电平转换设计。  
4. 反向极性保护:作为高端开关实现电源反接保护,防止因电池或电源接反而损坏电路。  
5. 小功率驱动电路:驱动LED、继电器或小型传感器等低电流负载。

BSS84具有-50V漏源电压(VDS)和-130mA连续漏极电流能力,适合低电压、低功耗场景。其215后缀表示产品符合特定卷带包装规格,便于自动化贴片生产。凭借Nexperia一贯的高可靠性与稳定性,BSS84,215广泛服务于消费电子、工业控制、通信模块及汽车电子中的辅助电路。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

130 mA

Id-连续漏极电流

130 mA

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS84,215-

数据手册

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产品型号

BSS84,215

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

250 mW

Pd-功率耗散

250 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

6 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

6 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

50 V

Vds-漏源极击穿电压

- 50 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

45pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 欧姆 @ 130mA,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-1660-2
933946360215
BSS84 T/R
BSS84215
BSS84T/R

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

50V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

130mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

BSS84 T/R

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