Datasheet下载- 型号： NVB6411ANT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVB6411ANT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVB6411ANT4G价格参考。ON SemiconductorNVB6411ANT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVB6411ANT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVB6411ANT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NVB6411ANT4G是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热性能，适用于高密度、高效率的电源管理应用。 NVB6411ANT4G典型的应用场景包括：便携式电子设备中的电源开关和负载管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑；电池管理系统（BMS）中的充放电控制；DC-DC转换器，尤其在同步整流电路中发挥高效能作用；以及电机驱动、LED驱动电源和小型电源适配器等低压功率开关场合。 其30V的漏源电压和较高电流承载能力（持续漏极电流可达约9.7A），配合SO-8封装，使其在空间受限但对性能要求较高的设计中表现出色。此外，该型号符合RoHS环保标准，并具备无铅、无卤素等绿色特性，适合工业级和消费类电子产品使用。 综上，NVB6411ANT4G广泛应用于需要高效、小型化和可靠开关性能的低压功率系统中，是现代电子设备中理想的MOSFET选择之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVB6411ANT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 72A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 217W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 77A （Tc） |
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