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- 型号： IXFK32N60
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK32N60由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK32N60价格参考。IXYSIXFK32N60封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFK32N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK32N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK32N60是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET器件，常用于高电压和高电流应用场景。该器件具有32A的连续漏极电流能力和600V的漏源击穿电压，具备良好的导通特性和开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，用于高效能电能转换。 2. 电机驱动系统：用于工业自动化设备、伺服电机或步进电机的驱动电路中，实现对电机速度和方向的控制。 3. 逆变器和UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中作为核心开关元件，将直流电转换为交流电。 4. 焊接设备：用于高频逆变焊机中，提高能量转换效率并减小设备体积。 5. 照明系统：如高强度气体放电灯（HID）镇流器或LED驱动电源中，作为高频开关元件。 6. 新能源领域：如太阳能逆变器、风能转换系统等，用于能量调节与输出控制。 该MOSFET适用于硬开关和高频开关应用，结合良好的热设计可发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFK32N60 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 325nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Tc） |
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