Datasheet下载- 型号： STD1NK80ZT4
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD1NK80ZT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD1NK80ZT4价格参考。STMicroelectronicsSTD1NK80ZT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD1NK80ZT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD1NK80ZT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STD1NK80ZT4 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。该型号的 MOSFET 适用于多种应用场景，主要体现在其高性能、低功耗和高可靠性的特点上。以下是其典型的应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - STD1NK80ZT4 的高击穿电压（80V）和低导通电阻（Rds(on) 典型值为 250mΩ）使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - 应用包括 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及电池充电器等。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停和速度调节。 - 特别适合家用电器、玩具、风扇等低功率电机驱动场景。 3. 负载切换 - 在需要快速切换负载电流的电路中，STD1NK80ZT4 可以用作电子开关，实现对负载的通断控制。 - 常见应用包括 LED 照明驱动、汽车电子负载切换以及工业自动化设备中的信号隔离。 4. 电池管理 - 在电池管理系统 (BMS) 中，该 MOSFET 可用于保护电路，防止过流、短路或反向连接等问题。 - 例如，锂电池保护板、便携式设备电源管理等。 5. 信号放大与缓冲 - 由于其低栅极电荷和快速开关特性，STD1NK80ZT4 可用于信号放大和缓冲电路中，提供高效的功率传输。 6. 逆变器和 UPS 系统 - 在小型逆变器和不间断电源 (UPS) 系统中，该 MOSFET 可用于逆变电路中的功率开关，将直流电转换为交流电。 7. 消费电子 - 适用于各种消费电子产品，如打印机、扫描仪、游戏控制器等，用于功率管理和信号控制。 总结 STD1NK80ZT4 的主要优势在于其低导通电阻、高击穿电压和出色的热性能，这使得它能够在各种低功率至中功率的应用场景中表现出色。无论是工业、汽车还是消费电子领域，这款 MOSFET 都能够满足高效、可靠的电力转换和控制需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 1A DPAKMOSFET N-Ch 800 V 13 Ohms Zener SuperMESH 1A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD1NK80ZT4SuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD1NK80ZT4 |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Qg-GateCharge | 7.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-4751-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF85076?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Tc） |
| 系列 | STD1NK80Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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