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Datasheet下载- 型号： IRLML0060TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRLML0060TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML0060TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML0060TRPBF价格参考￥0.65-￥0.74。International RectifierIRLML0060TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 60V 2.7A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23。您可以下载IRLML0060TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLML0060TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IRLML0060TRPBF是一款N沟道MOSFET，属于低压、低导通电阻的功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和低功耗控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于该MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)典型值约8.5mΩ），可有效减少电池供电系统中的能量损耗，常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备的电源管理电路中，如负载开关、电池保护电路等。 2. 电源管理模块：适用于DC-DC转换器、同步整流电路及电压调节模块（VRM），提升电源转换效率，降低发热。 3. 电机驱动：在小型直流电机、步进电机或微型马达控制中，作为开关元件使用，尤其适合对空间和能效要求较高的应用，如无人机、电动玩具、家用小电器等。 4. LED驱动与照明：可用于LED调光和开关控制，特别是在低电压、高效率的LED照明系统中表现优异。 5. 热插拔与电源开关控制：因其快速开关特性和良好的电流处理能力，适用于热插拔控制器和电源多路复用电路。 6. 工业与消费类电子产品：如传感器模块、电源分配系统、USB电源开关等，提供可靠的开关控制和过流保护功能。 IRLML0060TRPBF采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，且符合RoHS环保标准，是中小功率开关应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3MOSFET MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML0060TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLML0060TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| Qg-GateCharge | 2.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 116 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 116 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 92 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 其它名称 | IRLML0060TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 116 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 2.5 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 2.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlml0060trpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlml0060trpbf.spi |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
