ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > MTP50P03HDLG
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
MTP50P03HDLG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTP50P03HDLG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTP50P03HDLG价格参考。ON SemiconductorMTP50P03HDLG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 30V 50A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB。您可以下载MTP50P03HDLG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTP50P03HDLG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTP50P03HDLG 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 P 沟道 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理: MTP50P03HDLG 常用于各种电源管理电路中,例如负载开关、电压调节器和 DC-DC 转换器。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。 2. 电池管理: 在电池供电设备中,这款 MOSFET 可用于电池保护电路,实现过流保护、短路保护以及电池充放电控制等功能。它适用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。 3. 电机驱动: 该器件适合低电压电机驱动应用,例如小型直流电机或步进电机的控制。通过快速开关特性和稳定的性能,可以精确控制电机的速度和方向。 4. 负载切换: 在需要频繁开启或关闭负载的应用中,MTP50P03HDLG 可作为高效的开关元件使用。例如,在汽车电子系统中,可用于控制灯光、雨刷或其他辅助设备的供电。 5. 逆变器和转换器: 这款 MOSFET 可应用于小型逆变器和电源转换器中,帮助实现高效的能量转换和分配。 6. 消费类电子产品: 广泛应用于消费类电子产品,如音频放大器、家用电器和物联网设备中的信号处理和功率传输部分。 总结来说,MTP50P03HDLG 的主要优势在于其出色的电气性能、紧凑封装和高可靠性,使其成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 50A TO220ABMOSFET PFET T0220 30V 50A 25mOhm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MTP50P03HDLG- |
数据手册 | |
产品型号 | MTP50P03HDLG |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
上升时间 | 340 ns |
下降时间 | 218 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 25A,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | MTP50P03HDLGOS |
典型关闭延迟时间 | 90 ns |
功率-最大值 | 125W |
功率耗散 | 125 W |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 25 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 20 S |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
漏极连续电流 | 50 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
系列 | MTP50P03HDL |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 15 V |