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产品简介:
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Infineon Technologies 的 BSP129E6327T 是一款P沟道MOSFET,属于表面贴装型功率晶体管,适用于多种低电压、中等电流的开关与控制应用。该器件常用于便携式电子设备和电源管理系统中,因其具备良好的导通电阻(RDS(on))和快速开关特性。 典型应用场景包括: 1. 电源开关:在电池供电设备(如智能手机、平板电脑、移动电源)中作为负载开关或电源路径管理,实现对不同模块的上电/断电控制,降低待机功耗。 2. DC-DC转换器:用于同步整流或低端开关,提升电源转换效率,广泛应用于主板、嵌入式系统及小型电源模块。 3. 电机驱动电路:在小功率直流电机或步进电机的驱动中作为控制开关,适用于家电、电动工具和工业控制设备。 4. 过压/反向保护电路:利用其导通特性实现反接保护或电压极性保护,保护后级电路免受损坏。 5. LED驱动与照明控制:用于调节LED通断或亮度控制,常见于背光驱动或指示灯电路中。 BSP129E6327T 采用PG-SOT23-3封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适用于消费电子、工业控制、汽车电子外围电路等多种环境。其性能稳定、响应速度快,是中小型功率开关应用中的优选器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 耗尽模式 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP129_Rev1.1G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42eff594ad7 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BSP129E6327T |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 108µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 108pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 欧姆 @ 350mA,10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | BSP129XTINCT |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 240V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 350mA (Ta) |